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J-GLOBAL ID:202003017035102195
エーテル誘導体の製造方法
Inventor:
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Applicant, Patent owner:
,
Agent (2):
古谷 聡
, 義経 和昌
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2019161210
Publication number (International publication number):2020041139
Application date: Sep. 04, 2019
Publication date: Mar. 19, 2020
Summary:
【課題】エポキシドの付加モル数の制御が容易なエーテル誘導体の製造方法の提供。【解決手段】触媒としてホスファゼンベースP4-tBuを使用して、1価アルコールまたは多価アルコールにエポキシドを付加重合させるエーテル誘導体の製造方法。【選択図】なし
Claim (excerpt):
触媒としてホスファゼンベースP4-tBuを使用して、1価アルコールまたは多価アルコールにエポキシドを付加重合させ、その後、ホスファゼンベースP4-tBuをシリカゲルにより吸着除去するエーテル誘導体の製造方法。
IPC (4):
C08G 65/30
, C08G 65/10
, C08G 65/28
, B01D 61/00
FI (4):
C08G65/30
, C08G65/10
, C08G65/28
, B01D61/00 500
F-Term (8):
4D006GA14
, 4D006KA33
, 4D006KD30
, 4D006PB03
, 4J005AA04
, 4J005AA12
, 4J005BB02
, 4J005BC00
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (5)
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