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J-GLOBAL ID：202003018716681033

シルセスキオキサン化合物の製造方法

Inventor： 田中 徹 ,  海野 雅史
Applicant, Patent owner： 日立化成株式会社
Agent (4)： 三好 秀和 ,  高橋 俊一 ,  伊藤 正和 ,  高松 俊雄
Gazette classification：再公表公報
Application number (International application number)：JP2018031655
Publication number (International publication number)：WO2019044793
Application date： Aug. 28, 2018
Publication date： Mar. 07, 2019
Summary：

下記一般式(I)で表される化合物と、下記一般式(II)で表される化合物とを反応させる工程を有し、下記一般式(III)で表されるシルセスキオキサン化合物を製造する、シルセスキオキサン化合物の製造方法を提供する。下記一般式(I)〜(III)中、R1及びR2は、それぞれ独立的に、水素、炭素数1〜8のアルキル基、炭素数6〜14のアリール基、アミノアルキル基、アミノ基含有基、ニトリル基含有基、ビニル基含有基、(メタ)アクリロイル基含有基、クロロ基含有基、ブロモ基含有基、又は三フッ化ホウ素錯体化アミノ基を含む官能基を表し、R3〜R10は、それぞれ独立的に、炭素数1〜8のアルキル基、又は炭素数6〜14のアリール基を表し、Mは、水素、リチウム、ナトリウム、及びカリウムからなる群より選択される少なくとも1種の元素を表す。

Claim (excerpt)：

下記一般式(I)で表される化合物と、下記一般式(II)で表される化合物とを反応させる工程を有し、下記一般式(III)で表されるシルセスキオキサン化合物を製造する、シルセスキオキサン化合物の製造方法。

IPC (1)：

C07F 7/21

FI (1)：

C07F7/21

F-Term (12)：

4H049VN01 ,  4H049VP09 ,  4H049VQ03 ,  4H049VQ30 ,  4H049VQ86 ,  4H049VR21 ,  4H049VR22 ,  4H049VR42 ,  4H049VR43 ,  4H049VS86 ,  4H049VW01 ,  4H049VW02