Pat
J-GLOBAL ID:202003019504772612
多孔性高分子金属錯体、ガス吸着材、これを用いたガス分離装置およびガス貯蔵装置
Inventor:
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Applicant, Patent owner:
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Agent (5):
青木 篤
, 三橋 真二
, 福地 律生
, 齋藤 学
, 小林 良博
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2018245878
Publication number (International publication number):2020105118
Application date: Dec. 27, 2018
Publication date: Jul. 09, 2020
Summary:
【課題】二次元四角格子ネットワーク構造の積層型構造を有している新規な多孔性高分子金属錯体およびこれを用いた優れたガス吸着特性を有するガス吸着材を提供する。【解決手段】下記式(I) [MX]n (I)(式中、Mは2価の遷移金属イオンであり、Xはかさ高い置換基を5位に有するイソフタル酸誘導体由来の配位子であり、nは、[MX]から成る構成単位が多数集合しているという特性を示すもので、nの大きさは特に限定されない。)で表され、前記遷移金属イオンがパドルホイール構造を形成している二次元四角格子ネットワーク構造の積層型構造を有している多孔性高分子金属錯体。【選択図】なし
Claim (excerpt):
下記式(I)
[MX]n (I)
(式中、Mは2価の遷移金属イオンであり、Xはかさ高い置換基を5位に有するイソフタル酸誘導体由来の配位子であり、nは、[MX]から成る構成単位が多数集合しているという特性を示すもので、nの大きさは特に限定されない。)
で表され、前記遷移金属イオンがパドルホイール構造を形成している二次元四角格子ネットワーク構造の積層型構造を有している多孔性高分子金属錯体。
IPC (6):
C07C 63/64
, C07C 65/21
, C07F 7/08
, C07F 7/18
, B01J 20/26
, F17C 11/00
FI (7):
C07C63/64
, C07C65/21 C
, C07C65/21 D
, C07F7/08 J
, C07F7/18 J
, B01J20/26 A
, F17C11/00 A
F-Term (39):
3E172AA02
, 3E172AA09
, 3E172AB20
, 3E172DA90
, 3E172FA07
, 4G066AB05B
, 4G066AB07B
, 4G066AB18B
, 4G066AB24B
, 4G066AC11B
, 4G066BA05
, 4G066BA50
, 4G066CA35
, 4G066DA01
, 4H006AA01
, 4H006AB99
, 4H006BB14
, 4H006BJ50
, 4H006BP10
, 4H006BP30
, 4H006BS30
, 4H006BS70
, 4H048AA01
, 4H048AB99
, 4H048BB14
, 4H048VA20
, 4H048VA56
, 4H048VB10
, 4H048VB80
, 4H049VN01
, 4H049VP01
, 4H049VP10
, 4H049VQ07
, 4H049VQ25
, 4H049VR23
, 4H049VR24
, 4H049VR41
, 4H049VU25
, 4H049VW02
Patent cited by the Patent:
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