Pat

J-GLOBAL ID：202003020455930086

面発光レーザ及び面発光レーザの製造方法

Inventor： 野田 進 ,  田中 良典 ,  デ ゾイサ メーナカ ,  園田 純一 ,  小泉 朋朗 ,  江本 渓
Applicant, Patent owner： 国立大学法人京都大学 ,  スタンレー電気株式会社
Agent (1)： 特許業務法人レクスト国際特許事務所
Gazette classification：再公表公報
Application number (International application number)：JP2018007272
Publication number (International publication number)：WO2018155710
Application date： Feb. 27, 2018
Publication date： Aug. 30, 2018
Summary：

MOVPE法によりIII族窒化物半導体からなる面発光レーザを製造する製造方法であって、(a)基板上に第1導電型の第1のクラッド層を成長する工程と、(b)第1のクラッド層上に第1導電型の第1のガイド層を成長する工程と、(c)第1のガイド層に、エッチングにより第1のガイド層に平行な面内において2次元的な周期性を有する空孔を形成する工程と、(d)III族原料及び窒素源を含むガスを供給して、空孔の開口上部に所定の面方位のファセットを有する凹部が形成されるように成長を行って、空孔の開口部を塞ぐ工程と、(e)空孔の開口部を塞いだ後、マストランスポートによって凹部を平坦化する工程と、を有し、工程(e)の実行後における空孔の側面のうち少なくとも1つが{10-10}ファセットである。

Claim (excerpt)：

MOVPE法によりIII族窒化物半導体からなる面発光レーザを製造する製造方法であって、 (a)基板上に第1導電型の第1のクラッド層を成長する工程と、 (b)前記第1のクラッド層上に前記第1導電型の第1のガイド層を成長する工程と、 (c)前記第1のガイド層に、エッチングにより前記第1のガイド層に平行な面内において2次元的な周期性を有する空孔を形成する工程と、 (d)III族原料及び窒素源を含むガスを供給して、前記空孔の開口上部に所定の面方位のファセットを有する凹部が形成されるように成長を行って、前記空孔の開口部を塞ぐ工程と、 (e)前記空孔の前記開口部を塞いだ後、マストランスポートによって前記凹部を平坦化する工程と、を有し、 前記平坦化する工程の実行後における前記空孔の側面のうち少なくとも1つが{10-10}ファセットである面発光レーザの製造方法。

IPC (3)：

H01S 5/18 ,  H01L 21/205 ,  C30B 29/38

FI (3)：

H01S5/18 ,  H01L21/205 ,  C30B29/38 D

F-Term (28)：

4G077AA02 ,  4G077BE15 ,  5F045AA04 ,  5F045AB14 ,  5F045AB17 ,  5F045AC01 ,  5F045AC07 ,  5F045AC08 ,  5F045AC12 ,  5F045AC19 ,  5F045AD12 ,  5F045AD13 ,  5F045AD14 ,  5F045AD15 ,  5F045AF04 ,  5F045AF05 ,  5F045CA12 ,  5F045DA52 ,  5F045DA55 ,  5F173AC52 ,  5F173AC70 ,  5F173AF52 ,  5F173AH22 ,  5F173AP05 ,  5F173AP17 ,  5F173AP33 ,  5F173AP62 ,  5F173AR84