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J-GLOBAL ID：202102220715126973   Reference number：21A0144169

Activation Energies of Self-diffusion Mediated by Vacancies and Interstitials in a High-Purity Si Determined from Properties of Point Defects

点欠陥の特性から決定した高純度Si中の空格子点と格子間原子によって媒介された自己拡散の活性化エネルギー

Author (4)： SUEZAWA Masashi (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  FUKATA Naoki (National Inst. for Materials Sci., Tsukuba, JPN) ,  IIJIMA Yoshiaki (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  YONENAGA Ichiro (Tohoku Univ., Sendai, JPN)
Material： JPS Conference Proceedings (Web)
Volume： 1  Page： ROMBUNNO.012033 (WEB ONLY)  Publication year： Mar. 26, 2014 
JST Material Number： U1201A  ISSN： 2435-3892  Document type： Proceedings
Article type： 短報  Country of issue： Japan (JPN)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *self-diffusion ,  vacancy ,  *silicon ,  high purity material ,  *interstitial atom ,  activation energy ,  energy ,  *point defect ,  diffusion coefficient ,  self-diffusion coefficient
Semi thesaurus term： formation energy

JST classification (1)： Lattice defects in semiconductors  (BK12040Q)

Terms in the title (7)： 点欠陥 ,  高純度 ,  Si ,  空格子点 ,  格子間原子 ,  自己拡散 ,  活性化エネルギー