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J-GLOBAL ID：202102255011658391   Reference number：21A0253540

High-aspect-ratio silicon-embedded nanoscale wiring technology realized by copper super critical fluids deposition on oxide insulation film.

超臨界流体を用いた酸化膜上への銅薄膜直接成膜技術による高アスペクト比ナノ開口構造の埋め込みの実現

Author (4)： USAMI NAOTO (東大) ,  HIGO AKIO (東大) ,  OTA ETSUKO (東大) ,  MITA YOSHIO (東大)
Material： センサ・マイクロマシンと応用システムシンポジウム(CD-ROM)  (センサ・マイクロマシンと応用システムシンポジウム論文集(CD-ROM))
Volume： 35th  Page： ROMBUNNO.01pm1-PS-183  Publication year： Oct. 23, 2018 
JST Material Number： X0768B  Document type： Proceedings
Article type： 原著論文  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： *supercritical fluid ,  *oxide film ,  *metallic thin film ,  aspect ratio ,  MEMS ,  via hole ,  constitution ,  layer ,  *copper film ,  high aspect ratio ,  atomic layer ,  through silicon via ,  film deposition ,  *conversion coating film
Semi thesaurus term： through silicon via ,  film formation

JST classification (1)： Manufacturing technology of solid-state devices  (NC03030V)

Terms in the title (6)： 超臨界流体 ,  酸化膜 ,  銅薄膜 ,  成膜 ,  高アスペクト比 ,  埋め込み