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J-GLOBAL ID：202102261898973768   Reference number：21A0085227

Magnetic anisotropy constants and Anisotropic magneto-resistances in GaMnAs Depending on Layer Thickness

層厚に依存するGaMnAsの磁気異方性定数と磁気抵抗の異方性

Author (3)： NOZAKI Daiki (Tokyo Tech. Dept. of Physics, Tokyo, JPN) ,  KAKU Shigeru (Tokyo Tech. Dept. of Physics, Tokyo, JPN) ,  YOSHINO Junji (Tokyo Tech. Dept. of Physics, Tokyo, JPN)
Material： JPS Conference Proceedings (Web)
Volume： 2  Page： ROMBUNNO.010302 (WEB ONLY)  Publication year： Mar. 26, 2014 
JST Material Number： U1201A  ISSN： 2435-3892  Document type： Proceedings
Article type： 短報  Country of issue： Japan (JPN)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： thickness of strata ,  *gallium arsenide ,  *manganese ,  *doping ,  ferromagnetic semiconductor ,  *magnetic anisotropy ,  *magnetoresistance effect ,  *electric resistance ,  valence band ,  band-offset ,  Fermi level ,  superlattice ,  wave function
Semi thesaurus term： GaAs ,  *magnetoresistance ,  valence band ,  Fermi energy

JST classification (1)： Magnetic properties of inorganic compounds  (BM06060P)

Terms in the title (5)： 層厚 ,  磁気異方性 ,  定数 ,  磁気抵抗 ,  異方性