Art

J-GLOBAL ID：202102266962901333   Reference number：21A0168585

Photo-Assisted Multilevel Non-Volatile Memory Device on 2D Materials

二次元層状物質を使った光多値メモリの開発

Author (3)： NAKAHARAI SHU (物質・材料研究機構 国際ナノアーキテクトニクス研究拠点) ,  MUKHERJEE Bablu (物質・材料研究機構 国際ナノアーキテクトニクス研究拠点) ,  WAKAYAMA YUTAKA (物質・材料研究機構 国際ナノアーキテクトニクス研究拠点)
Material： 機能材料  (Function & Materials)
Volume： 41  Issue： 1  Page： 58-64  Publication year： Jan. 07, 2021 
JST Material Number： Y0021A  ISSN： 0286-4835  Document type： Article
Article type： 解説  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： *two dimension ,  *layered compound ,  *memory element ,  radiant intensity ,  laser irradiation ,  graphene ,  wafer ,  rhenium compound ,  sulfide(chalcogenide) ,  boron nitride ,  *optical control
Semi thesaurus term： *光多値メモリ ,  light intensity ,  silicon substrate ,  rhenium sulfide ,  多値メモリ ,  hexagonal boron nitride

JST classification (1)： Semiconductor integrated circuit  (NC03162T)

Terms in the title (2)： 多値 ,  開発