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J-GLOBAL ID：202102277935970638   Reference number：21A0362053

Coexistence of digital and analog resistive switching in Ta₂O₅-based ReRAM cells with TiN electrodes.

TiN電極を用いたTa₂O₅-ReRAMにおけるデジタルおよびアナログ抵抗変化の共存

Author (4)： YAMADA KAZUTAKA (京大) ,  KIMOTO TSUNENOBU (京大) ,  NISHI YUSUKE (京大) ,  NISHI YUSUKE (舞鶴工高専)
Material： 電子情報通信学会技術研究報告(Web)  (IEICE Technical Report (Web))
Volume： 120  Issue： 272(EID2020 1-14)  Page： 42-45 (WEB ONLY)  Publication year： Nov. 25, 2020 
JST Material Number： U2030A  ISSN： 2432-6380  Document type： Proceedings
Article type： 短報  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： titanium compound ,  nitride ,  tantalum oxide ,  *RAM ,  variation ,  *electric resistance ,  *laminate structure ,  supply ,  voltage ,  vacancy ,  *resistance random access memory ,  oxygen vacancy
Semi thesaurus term： *resistance random access memory ,  TiN ,  oxygen vacancy ,  resistance change ,  voltage application

JST classification (1)： Semiconductor integrated circuit  (NC03162T)

Reference (13)：

• H. Akinaga and H. Shima, “Resistive Random Access Memory (ReRAM) Based on Metal Oxides”, Proc. IEEE, vol.98, no.12, pp.2237-2251, Dec., 2010.
• J. F. Gibbons and W. E. Beadle, “Switching properties of thin NiO films”, Solid-State Electron., vol.7, no.11, pp.785-790, Nov., 1964.
• Y. Nishi, H. Sasakura, and T. Kimoto, “Conductance fluctuation in NiO-based resistive switching memory”, J. Appl. Phys., vol.124, no.15, 152134, Oct., 2018.
• M. D. Pickett, D. B. Strukov, J. L. Borghetti, J. J. Yang, G. S. Snider, D. R. Stewart, and R. S. Williams, “Switching dynamics in titanium dioxide memristive devices”, J. Appl. Phys., vol.106, no.7, 074508, Oct., 2009.
• M. Arahata, Y. Nishi, and T. Kimoto, “Effects of TiO₂ crystallinity and oxygen composition on forming characteristics in Pt/TiO₂/Pt resistive switching cells”, AIP Adv., vol.8, no.12, 125010, Dec., 2018.

Terms in the title (7)： TiN ,  Ta2O5 ,  ReRAM ,  デジタル ,  アナログ ,  抵抗変化 ,  共存