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J-GLOBAL ID：202102284461120043   Reference number：21A0630876

Analysis of Trimethylgallium Decomposition and Reaction in Different Carrier Gases by High-Resolution Mass Spectrometry

高分解能質量分析による異なるキャリアガス中におけるトリメチルガリウムの熱分解解析

Author (8)： YE Zheng (名古屋大 IMaSS) ,  NITTA SHUGO (名古屋大 IMaSS) ,  HONDA YOSHIO (名古屋大 IMaSS) ,  PRISTOVSEK Markus (名古屋大 IMaSS) ,  AMANO HIROSHI (名古屋大 IMaSS) ,  AMANO HIROSHI (ARC) ,  AMANO HIROSHI (VBL) ,  AMANO HIROSHI (NIMS)
Material： 結晶成長国内会議予稿集(CD-ROM)  (JCCG予稿集(CD-ROM))
Volume： 49th  Page： ROMBUNNO.09p-A09  Publication year： Nov. 09, 2020 
JST Material Number： L6730B  ISSN： 2188-7268  Document type： Proceedings
Article type： 短報  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

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Thesaurus term： high temperature ,  *mass spectrometry ,  desorption ,  *thermal decomposition ,  semiconductor ,  flow rate ,  ammonia ,  hydrocarbon ,  temperature dependence ,  drift(migration) ,  gas phase ,  gallium nitride ,  dopant ,  *carrier gas

JST classification (5)： Ferroelectrics,antiferroelectrics and ferroelasticity  (BM05030B) ,  Semiconductor thin films  (BK14040E) ,  Crystal growth of other inorganic compounds  (BK13060T) ,  Surface structure of semiconductors  (BK15030A) ,  Surface structure of solids in general  (BK15010E)

Substance index (1)： Trimethyl gallium

Terms in the title (5)： 高分解能質量分析 ,  キャリアガス ,  トリメチルガリウム ,  熱分解 ,  解析