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J-GLOBAL ID：202103000069450866

界面準位密度測定装置

Inventor： 宮下 守也 ,  前田 貴弘 ,  久保田 弘 ,  橋新 剛 ,  小林 一博 ,  小野 貴寛 ,  川野 達郎 ,  松山 浩輝 ,  古田 正昭 ,  長野 聖央
Applicant, Patent owner： グローバルウェーハズ・ジャパン株式会社 ,  国立大学法人 熊本大学
Agent (2)： 木下 茂 ,  澤田 優子
Gazette classification：特許公報
Application number (International application number)：2017215346
Publication number (International publication number)：2019087654
Patent number：6867627
Application date： Nov. 08, 2017
Publication date： Jun. 06, 2019
Claim (excerpt)：

【請求項1】 半導体基板上に形成された誘電体膜と前記半導体基板との界面準位の密度を測定する装置であって、 前記半導体基板を保持する基板保持部と、 前記基板保持部に保持された半導体基板の誘電体膜に対し所定の間隙をもって配置されるプローブ電極と、 前記プローブ電極を電極として前記半導体基板に電圧印加する電圧印加部と、 前記プローブ電極からパルス発光させ、前記電圧印加部により電圧印加された前記半導体基板に光照射する光照射部と、 照射光の波長を測定するスペクトル検出器と、 前記界面準位に捕獲されていたキャリアの移動に伴う電圧の変化を測定する測定部と、 前記測定部により測定された信号のピーク電圧に基づき界面準位密度を算出するコンピュータと、 を備えることを特徴とする界面準位密度測定装置。

IPC (1)：

H01L 21/66 ( 200 6.01)

FI (1)：

H01L 21/66 Q

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (2)

• 特開平3-132052
  
• 金属汚染濃度分析方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2016-088844   Applicant：グローバルウェーハズ・ジャパン株式会社, 国立大学法人熊本大学