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J-GLOBAL ID：202103000088819510

酸化物半導体膜のエッチング方法

Inventor： 平田 瑛子 ,  辰巳 哲也 ,  深沢 正永 ,  浜口 智志 ,  唐橋 一浩
Applicant, Patent owner： ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社
Agent (1)： 特許業務法人つばさ国際特許事務所
Gazette classification：再公表公報
Application number (International application number)：JP2019049908
Publication number (International publication number)：WO2020145080
Application date： Dec. 19, 2019
Publication date： Jul. 16, 2020
Summary：

本開示の一実施形態の酸化物半導体膜のエッチング方法は、第1の希ガスを用いて酸化物半導体膜に変質層を形成し、第1の希ガスとは異なる第2の希ガスを用いて変質層をスパッタする。

Claim (excerpt)：

第1の希ガスを用いて酸化物半導体膜に変質層を形成し、 前記第1の希ガスとは異なる第2の希ガスを用いて前記変質層をスパッタする 酸化物半導体膜のエッチング方法。

IPC (1)：

H01L 21/306

FI (1)：

H01L21/302 105A

F-Term (6)：

5F004AA16 ,  5F004DA00 ,  5F004DA22 ,  5F004DA23 ,  5F004DB31 ,  5F004EA28