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J-GLOBAL ID：202103000208585640

デュアル架橋ハイブリッドゲルの製造方法

Inventor： 鈴木 淳史 ,  望月 亮弥 ,  長澤 尚胤
Applicant, Patent owner： 国立大学法人横浜国立大学 ,  国立研究開発法人量子科学技術研究開発機構
Agent (1)： 特許業務法人 志賀国際特許事務所
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2019236517
Publication number (International publication number)：2021104609
Application date： Dec. 26, 2019
Publication date： Jul. 26, 2021
Summary：

【課題】化学架橋点が導入されたハイブリッドゲルである、デュアル架橋ハイブリッドゲルの製造方法を提供する。【解決手段】ポリビニルアルコールからなる凍結解凍ゲルの表面に、ポリビニルアルコールからなるキャストドライゲルが積層されたハイブリッドゲルを準備し、前記ハイブリッドゲルに対してガンマ線又は電子線を照射することにより、前記ハイブリッドゲルを構成する物理架橋ネットワーク内に化学架橋点を形成したデュアル架橋ハイブリッドゲルを得る、デュアル架橋ハイブリッドゲルの製造方法。【選択図】なし

Claim (excerpt)：

ポリビニルアルコールからなる凍結解凍ゲルの表面に、ポリビニルアルコールからなるキャストドライゲルが積層されたハイブリッドゲルを準備し、 前記ハイブリッドゲルに対してガンマ線又は電子線を照射することにより、前記ハイブリッドゲルを構成する物理架橋ネットワーク内に化学架橋点を形成したデュアル架橋ハイブリッドゲルを得る、デュアル架橋ハイブリッドゲルの製造方法。

IPC (7)：

B32B 27/30 ,  C08J 3/075 ,  C08J 3/24 ,  C08L 29/04 ,  A61L 27/18 ,  A61L 27/40 ,  A61L 27/50

FI (7)：

B32B27/30 102 ,  C08J3/075 ,  C08J3/24 Z ,  C08L29/04 ,  A61L27/18 ,  A61L27/40 ,  A61L27/50

F-Term (35)：

4C081AB02 ,  4C081BB08 ,  4C081CA051 ,  4C081CA052 ,  4C081DA12 ,  4C081DC02 ,  4C081EA14 ,  4F070AA26 ,  4F070AB13 ,  4F070AC12 ,  4F070CA11 ,  4F070CB02 ,  4F070GA04 ,  4F070GB01 ,  4F070GC08 ,  4F070HA03 ,  4F070HA04 ,  4F070HB01 ,  4F070HB11 ,  4F100AK21A ,  4F100AK21B ,  4F100BA02 ,  4F100EJ053 ,  4F100EJ50A ,  4F100EJ533 ,  4F100EJ82A ,  4F100EJ82B ,  4F100GB66 ,  4F100JK16B ,  4F100JM01A ,  4F100JM01B ,  4J002BE02W ,  4J002BE02X ,  4J002GB01 ,  4J002GF00