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J-GLOBAL ID：202103000445194582
高次アセン誘導体の製造方法
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
特許業務法人京都国際特許事務所
Gazette classification：特許公報
Application number (International application number)：2016231276
Publication number (International publication number)：2018087166
Patent number：6876320
Application date： Nov. 29, 2016
Publication date： Jun. 07, 2018
Claim (excerpt)：
【請求項1】 a) 7,16-ヘプタセンキノンに、ディールス・アルダー反応によりアセチレンジカルボン酸ジメチル(DMAD)を架橋付加し、
b) 脱炭酸反応により架橋部のエステル基を除去し、
c) 還元反応によりキノンの酸素を除去して同位にブロモ基を付加し、
d) 酸化反応により架橋部に酸素を付加し、7,16-ジブロモ-5,9,14,18-テトラヒドロ-5,18:9,14-ビスエタノヘプタセン-19,20,21,22-テトラケトンを形成する、
という工程を含み、酸化反応により架橋部に酸素を付加する工程が、該架橋部をヒドロキシル化処理し、さらに、酸化処理することである、高次アセン誘導体の製造方法。
IPC (2)：
C07C 45/29 ( 200 6.01)
, C07C 49/697 ( 200 6.01)
Cited by examiner (2)
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グラフェン膜、電子装置、及び電子装置の製造方法
Gazette classification：公開公報
Application number：特願2013-096591
Applicant：独立行政法人産業技術総合研究所, 国立大学法人奈良先端科学技術大学院大学
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ポリアセン類の合成方法
Gazette classification：公開公報
Application number：特願2008-297593
Applicant：学校法人日本大学
Article cited by the Patent：
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