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J-GLOBAL ID：202103000471331717

半導体素子および半導体装置

Inventor： 北村 章太 ,  山口 哲司 ,  若原 昭浩 ,  山根 啓輔
Applicant, Patent owner： ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社
Agent (2)： 松尾 憲一郎 ,  市川 泰央
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2019167987
Publication number (International publication number)：2021048152
Application date： Sep. 17, 2019
Publication date： Mar. 25, 2021
Summary：

【課題】シリコン基板にIII-V族化合物半導体層を成長させて構成される半導体素子の電荷の移動の阻害を防ぐ。【解決手段】半導体素子100は、シリコン基板110と第1の化合物半導体層140と第2の化合物半導体層150と電極121,170とを具備する。電極121は、信号線3を介して制御回路2に接続される。制御回路は電荷の移動の制御を行う。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

シリコン基板と、 前記シリコン基板に形成される第1の化合物半導体層と、 前記第1の化合物半導体層に積層される第2の化合物半導体層と、 前記シリコン基板に配置されて前記第1の化合物半導体層を介した前記シリコン基板および前記第2の化合物半導体層の間の電荷の移動の制御を行う電極と を具備する半導体素子。

IPC (6)：

H01L 31/10 ,  H01L 21/20 ,  H01L 27/146 ,  H01L 33/36 ,  H01L 33/30 ,  H04N 5/369

FI (7)：

H01L31/10 A ,  H01L21/20 ,  H01L27/146 E ,  H01L27/146 A ,  H01L33/36 ,  H01L33/30 ,  H04N5/369

F-Term (79)：

4M118AA10 ,  4M118AB01 ,  4M118BA07 ,  4M118BA14 ,  4M118CA03 ,  4M118CA05 ,  4M118CA14 ,  4M118CA22 ,  4M118CB01 ,  4M118CB13 ,  4M118CB14 ,  4M118EA01 ,  4M118EA14 ,  4M118FA06 ,  4M118FA28 ,  4M118FA33 ,  4M118FA38 ,  4M118FB23 ,  4M118GC08 ,  4M118GD04 ,  4M118GD07 ,  4M118HA33 ,  5C024CY47 ,  5C024GX05 ,  5C024GX06 ,  5C024GX07 ,  5C024GX16 ,  5C024GX18 ,  5C024GY31 ,  5C024GY39 ,  5C024GY41 ,  5F152LL05 ,  5F152LL09 ,  5F152LN03 ,  5F152MM08 ,  5F152NN03 ,  5F152NP05 ,  5F152NQ05 ,  5F152NQ06 ,  5F241AA21 ,  5F241CA03 ,  5F241CA12 ,  5F241CA22 ,  5F241CA33 ,  5F241CA34 ,  5F241CA37 ,  5F241CA38 ,  5F241CA88 ,  5F241CB36 ,  5F849AA02 ,  5F849AA03 ,  5F849AA04 ,  5F849AB07 ,  5F849BA01 ,  5F849BA04 ,  5F849BA17 ,  5F849BA30 ,  5F849CB01 ,  5F849CB04 ,  5F849CB07 ,  5F849DA28 ,  5F849EA04 ,  5F849EA05 ,  5F849EA13 ,  5F849FA04 ,  5F849FA05 ,  5F849FA12 ,  5F849FA15 ,  5F849GA04 ,  5F849HA05 ,  5F849JA12 ,  5F849KA04 ,  5F849KA11 ,  5F849KA14 ,  5F849KA20 ,  5F849LA02 ,  5F849XB01 ,  5F849XB04 ,  5F849XB18