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J-GLOBAL ID：202103002162268833

構造体、テラヘルツ帯域電磁波発振素子及びテラヘルツ帯域電磁波発振素子の動作方法

Inventor： 柏木 隆成 ,  尾内 敏彦 ,  吉住 昭治 ,  門脇 和男 ,  南 英俊
Applicant, Patent owner： 国立大学法人 筑波大学
Agent (1)： 特許業務法人雄渾
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2019147331
Publication number (International publication number)：2021028931
Application date： Aug. 09, 2019
Publication date： Feb. 25, 2021
Summary：

【課題】本発明の課題は、超伝導素子をデバイスとして機能させる際に、電磁波発振の高出力化を可能とする構造体を提供することである。特に、テラヘルツ波を安定して発振することが可能となるテラヘルツ帯域電磁波発振素子及びテラヘルツ帯域電磁波発振素子の動作方法を提供することである。【解決手段】上記課題を解決するため、電極基板と超伝導素子とを備え、超伝導素子は、電極基板平面上に規則的に配置されたアレイ構造と、電極基板平面に対して高さ方向に規則的に積層させた3次元配列構造とを形成することを特徴とする構造体を提供し、更にテラヘルツ帯域電磁波発振素子及びテラヘルツ帯域電磁波発振素子の動作方法を提供する。 これによれば、超伝導素子の実装において電磁波発振の高出力化が可能となる。特に、テラヘルツ帯の電磁波の発生や制御を効率的に行うことが可能になる。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

電極基板と超伝導素子とを備え、 前記超伝導素子は、前記電極基板平面上に規則的に配置されたアレイ構造と、前記電極基板平面に対して高さ方向に規則的に積層させた3次元配列構造とを形成することを特徴とする、構造体。

IPC (1)：

H01L 39/22

FI (1)：

H01L39/22 D

F-Term (5)：

4M113AA07 ,  4M113AC29 ,  4M113AD32 ,  4M113BA11 ,  4M113CA35