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J-GLOBAL ID：202103002583682248

熱電変換素子、n型有機半導体材料とその製造方法、およびn型有機半導体材料の安定化剤

Inventor： 藤ヶ谷 剛彦 ,  中嶋 直敏
Applicant, Patent owner： 国立大学法人九州大学
Agent (1)： 特許業務法人特許事務所サイクス
Gazette classification：特許公報
Application number (International application number)：2016094010
Publication number (International publication number)：2017204507
Patent number：6846784
Application date： May. 09, 2016
Publication date： Nov. 16, 2017
Claim (excerpt)：

【請求項1】下記一般式(1)で表される化合物の0.05〜5重量%の溶液にカーボンナノチューブを含浸させることにより、カーボンナノチューブに前記一般式(1)で表される化合物をドープしたn型有機半導体材料を含む熱電変換素子。 (一般式(1)において、R1およびR2は各々独立に置換もしくは無置換のアルキル基を表す。R11は置換基を表し、mは0〜4の整数を表す。Arは置換もしくは無置換のアリール基を表す。)

IPC (9)：

H01L 35/22 ( 200 6.01) ,  H01L 51/00 ( 200 6.01) ,  H01L 51/30 ( 200 6.01) ,  C01B 32/152 ( 201 7.01) ,  B82Y 30/00 ( 201 1.01) ,  B82Y 40/00 ( 201 1.01) ,  C08G 61/12 ( 200 6.01) ,  H01L 35/24 ( 200 6.01) ,  C07D 235/12 ( 200 6.01)

FI (12)：

H01L 35/22 ZNM ,  H01L 29/28 100 Z ,  H01L 29/28 220 A ,  H01L 29/28 250 E ,  H01L 29/28 250 G ,  H01L 29/28 250 H ,  C01B 32/152 ,  B82Y 30/00 ,  B82Y 40/00 ,  C08G 61/12 ,  H01L 35/24 ,  C07D 235/12

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• ナノ材料-ドーパント組成物複合体の製造方法、ナノ材料-ドーパント組成物複合体およびドーパント組成物
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2014-131907   Applicant：国立大学法人奈良先端科学技術大学院大学

Article cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• Mechanistic Study on the Solution-Phase n-Doping of 1,3-Dimethyl-2-aryl-2,3-dihydro-1H-benzoimidazol
• Development of n-type cobaltocene-encapsulated carbon nanotubes with remarkable thermoelectric prope