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J-GLOBAL ID:202103004046570568

ナノホールが形成されたナノ粒子、並びに、ナノ粒子、ナノ構造体およびナノ構造体アレイの作製方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 特許業務法人グローバル知財
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2019235317
Publication number (International publication number):2021102544
Application date: Dec. 25, 2019
Publication date: Jul. 15, 2021
Summary:
【課題】アクセシブルな磁場増強部位を有する誘電体ナノ粒子、特に、結晶シリコンナノ粒子を提供する。【解決手段】誘電体ナノ粒子は、屈折率が3以上である無機材料から成り、粒子1表面にナノホール5が形成される。ナノホール5を形成することにより、ミー共鳴による磁場増強効果を利用して、ナノホール5内の空間に新しい光化学反応場としてのアクセシブルな増強磁場4を提供できる。誘電体ナノ粒子として結晶シリコンナノ粒子が用いられ、表面にナノホールが形成される。ナノ粒子の平均粒径は、光(紫外〜近赤外線)の周波数領域において、光6を入射すると、ナノ構造内部に増強磁場を誘起するため、好ましくは100〜250nmの範囲である。表面にナノホール5を形成させたナノ粒子において、増強磁場4を誘起できるナノホール5内の空間に、外部から分子7の導入することが可能であり、磁場増強部位を光化学反応場として活用できる。【選択図】図4
Claim (excerpt):
屈折率が3以上である無機材料から成り、 粒子表面にナノホールが形成された誘電体ナノ粒子。
IPC (2):
C30B 29/06 ,  C01B 33/02
FI (2):
C30B29/06 A ,  C01B33/02 Z
F-Term (18):
4G072AA01 ,  4G072BB05 ,  4G072BB07 ,  4G072DD06 ,  4G072GG02 ,  4G072GG03 ,  4G072HH01 ,  4G072JJ09 ,  4G072MM01 ,  4G072NN11 ,  4G072NN27 ,  4G072RR11 ,  4G072RR15 ,  4G072TT01 ,  4G072TT30 ,  4G072UU30 ,  4G077AA01 ,  4G077BA04
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (2)
Article cited by the Patent:
Cited by examiner (1)
  • 第15回光物性研究会論文集, 2004, pp.349-352

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