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J-GLOBAL ID：202103004760544759

多孔質アモルファスシリコン、多孔質アモルファスシリコンの製造方法および二次電池

Inventor： 岡田 純平 ,  中山 幸仁 ,  和田 武
Applicant, Patent owner： 国立大学法人東北大学
Agent (1)： 楠 修二
Gazette classification：再公表公報
Application number (International application number)：JP2019036199
Publication number (International publication number)：WO2020194794
Application date： Sep. 13, 2019
Publication date： Oct. 01, 2020
Summary：

【課題】負極材料として使用したときに、充放電効率や電池容量などの電池性能を高めることができる多孔質アモルファスシリコン、全体がアモルファスシリコンから成る多孔質アモルファスシリコンを、比較的低コストかつ短時間で製造することができる多孔質アモルファスシリコンの製造方法、および、負極材料としてその多孔質アモルファスシリコンを利用した二次電池を提供する。【解決手段】金属とシリコンとを含む溶湯を、106K/秒以上の冷却速度で冷却することにより、その金属とシリコンとから成る共晶合金を形成し、酸またはアルカリにより共晶合金から金属を選択的に溶出させることにより多孔質アモルファスシリコンを得る。多孔質アモルファスシリコンは、平均粒径または平均支柱径が1nm〜100nmのラメラ構造または柱状構造を有している。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

平均粒径または平均支柱径が1nm〜100nmのラメラ構造または柱状構造を有していることを特徴とする多孔質アモルファスシリコン。

IPC (2)：

C01B 33/02 ,  H01M 4/38

FI (2)：

C01B33/02 Z ,  H01M4/38 Z

F-Term (41)：

4G072AA03 ,  4G072BB04 ,  4G072BB05 ,  4G072BB13 ,  4G072BB15 ,  4G072BB20 ,  4G072DD06 ,  4G072DD07 ,  4G072GG01 ,  4G072GG03 ,  4G072HH01 ,  4G072JJ09 ,  4G072LL03 ,  4G072MM21 ,  4G072MM24 ,  4G072MM38 ,  4G072NN06 ,  4G072NN21 ,  4G072NN27 ,  4G072RR12 ,  4G072RR22 ,  4G072TT01 ,  4G072TT30 ,  4G072UU30 ,  5H050AA08 ,  5H050AA19 ,  5H050BA17 ,  5H050CB11 ,  5H050FA13 ,  5H050FA17 ,  5H050FA20 ,  5H050GA02 ,  5H050GA12 ,  5H050GA14 ,  5H050GA17 ,  5H050GA29 ,  5H050HA02 ,  5H050HA04 ,  5H050HA05 ,  5H050HA09 ,  5H050HA20