高速フォトディテクターアレー

Inventor： , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (2)：廣瀬隆行 , 関大祐
Gazette classification：特許公報
Application number (International application number)：2017053741
Publication number (International publication number)：2018157117
Patent number：6884948
Application date： Mar. 17, 2017
Publication date： Oct. 04, 2018
Claim (excerpt)：

【請求項1】複数のフォトディテクター(9)が2次元アレイ状に配置され,前記複数のフォトディテクターの間に幅が4μm以下の配線(12)を有する,2次元フォトディテクターアレーを有し, それぞれのフォトディテクターの受光領域は,1辺が100μm以下であり, 前記2次元アレイ状に配置された複数のフォトディテクターは,それぞれ20μm以上離れて配置され, 前記複数のフォトディテクター(9)のそれぞれは, 光が入射する裏面基板と, 前記裏面基板を透過した光が入射する光吸収層と, 前記光吸収層を経た光のうち,前記光吸収層に吸収されたかった光である残留光が入射する表面電極と,を有し, 前記残留光は,前記表面電極で反射し,前記光吸収層へ入射する,裏面入射型構造を有し, 複数の変調領域(5)を有する変調部(7)をさらに有し, 前記複数のフォトディテクター(9)は,前記変調部(7)を経た光を受光する, 光検出器。

IPC (4)：

H01L 27/144 ( 200 6.01) , H04B 10/60 ( 201 3.01) , H01L 31/10 ( 200 6.01) , G02B 6/42 ( 200 6.01)

FI (4)：

H01L 27/144 J , H04B 10/60 , H01L 31/10 A , G02B 6/42

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (8)

上面入射型受光素子アレイ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2004-058482 Applicant：住友電気工業株式会社
半導体受光素子及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2003-406396 Applicant：浜松ホトニクス株式会社
フォトダイオードアレイ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2010-244686 Applicant：浜松ホトニクス株式会社

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