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J-GLOBAL ID:202103008376547274

計測用デバイス及び計測センサ

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (3): 棚井 澄雄 ,  小林 淳一 ,  清水 雄一郎
Gazette classification:特許公報
Application number (International application number):2017092710
Publication number (International publication number):2018189523
Patent number:6928931
Application date: May. 08, 2017
Publication date: Nov. 29, 2018
Claim (excerpt):
【請求項1】 所定の波長の光を透過可能な半導体基板と、 前記半導体基板の表面に積層され、前記半導体基板との界面でショットキー障壁を構成し、前記所定の波長の光が照射された際に表面プラズモン共鳴を起こすアンテナ部を有する金属層と、 前記金属層の表面に形成され、特定の検出物質と反応可能に構成された反応層と、 を備え、 前記半導体基板の価電子帯のエネルギー準位と伝導帯のエネルギー準位とのエネルギー差は前記反応層と前記金属層との間で生じる前記表面プラズモン共鳴によって前記金属層の自由電子が励起される励起エネルギーよりも高く、且つ前記励起エネルギーは前記ショットキー障壁のエネルギー高さよりも高いことを特徴とする計測用デバイス。
IPC (2):
G01N 21/41 ( 200 6.01) ,  G01N 33/543 ( 200 6.01)
FI (2):
G01N 21/41 102 ,  G01N 33/543 595
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (6)
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Cited by examiner (6)
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