Pat
J-GLOBAL ID：202103009331914272
電界効果トランジスタ及びメモリ装置
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
特許業務法人前田特許事務所
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2019118917
Publication number (International publication number)：2021005644
Application date： Jun. 26, 2019
Publication date： Jan. 14, 2021
Summary：
【課題】単一分子で強誘電的な性質及び挙動を示す材料を実装した電界効果トランジスタ及びメモリ装置を提供する。【解決手段】ソース電極2及びドレイン電極3と、ソース領域42及びドレイン領域43の間にチャネル領域41が形成される基板4と、チャネル領域41上の基板4表面に設けられた絶縁酸化膜61と、絶縁酸化膜61上に設けられ、分子性金属酸化物クラスター10からなる単分子誘電体層5と、単分子誘電体層5上に設けられたゲート電極6と、を備え、分子性金属酸化物クラスター10は、連通孔101及び該連通孔内の一方の開放端側と他方の開放端側とにそれぞれ設けられる2つの安定包接部102a、102bを有するクラスター骨格100と、該2つの安定包接部を移動可能な金属イオンMと、を有し、いずれか一方の安定包接部に金属イオンが包接された状態で、分子性金属酸化物クラスターは、分子分極を示す。【選択図】図1
Claim (excerpt)：
ソース電極及びドレイン電極と、
前記ソース電極及び前記ドレイン電極によって形成されるソース領域及びドレイン領域の間にチャネル領域が形成される基板と、
前記チャネル領域上の前記基板表面に設けられた絶縁酸化膜と、
前記絶縁酸化膜上に設けられ、分子性金属酸化物クラスターからなる単分子誘電体層と、
前記単分子誘電体層上に設けられたゲート電極と、を備え、
前記分子性金属酸化物クラスターは、
連通孔及び該連通孔内の一方の開放端側と他方の開放端側とにそれぞれ設けられる2つの安定包接部を有するクラスター骨格と、
該2つの安定包接部を移動可能な金属イオンと、を有し、
前記2つの安定包接部の、一方の安定包接部に前記金属イオンが包接された状態で、前記分子性金属酸化物クラスターは、分子分極を示すことを特徴とする電界効果トランジスタ。
IPC (6)：
H01L 27/115
, H01L 21/336
, H01L 29/78
, H01L 21/316
, H01L 29/788
, H01L 29/792
H01L27/1159
, H01L29/78 301G
, H01L21/316 B
, H01L29/78 371
5F058BA11
, 5F058BC03
, 5F058BC04
, 5F058BF46
, 5F058BJ04
, 5F083FR05
, 5F083JA02
, 5F083JA36
, 5F083JA37
, 5F083JA38
, 5F083JA39
, 5F083JA60
, 5F083PR22
, 5F101BA62
, 5F101BB02
, 5F101BE07
, 5F101BH13
, 5F140AA39
, 5F140AC01
, 5F140AC32
, 5F140BB04
, 5F140BD01
, 5F140BD05
, 5F140BD13
, 5F140BE09
, 5F140BF05
, 5F140BF06
, 5F140BG30
, 5F140BJ05
, 5F140BJ06
, 5F140CB01
