光触媒材及びその製造方法

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner： ,
Agent (4)：紺野昭男 , 井波実 , 伊藤武泰 , 田村慶政
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2020130665
Publication number (International publication number)：2021074706
Application date： Jul. 31, 2020
Publication date： May. 20, 2021
Summary：

【課題】可視光照射下で高い光触媒活性を発現可能な、すなわち水を高効率に光分解可能な、水素発生能がより向上された光触媒材の提供。【解決手段】光触媒材100は、基材90に固定化された光触媒層70であり、光触媒層は、水素発生用可視光応答型の第1の光触媒粒子10と、酸素発生用可視光応答型の第2の光触媒粒子20と、第1の光触媒粒子と第2の光触媒粒子との間に設けられ、第1の光触媒粒子の価電子帯上端の電子エネルギー準位よりも負な位置であり、第2の光触媒粒子の伝導帯下端の電子エネルギー準位よりも正な位置にフェルミ準位を有する、電子および正孔を貯蔵可能な導電性粒子40と、を含む。導電性粒子は、アンチモンドープ酸化スズ(ATO)粒子を含み、ATOの仕事関数が5.1eVよりも大きく、光触媒層の波長2400nmにおける自由電子吸光度が3.7%よりも大きく55%より小さい。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

基材と、当該基材に固定化されてなる光触媒層とを含んでなる光触媒材であって、前記光触媒層が、水素発生用可視光応答型の第1の光触媒粒子と、酸素発生用可視光応答型の第2の光触媒粒子と、前記第1の光触媒粒子と前記第2の光触媒粒子との間に設けられ、前記第1の光触媒粒子の価電子帯上端の電子エネルギー準位よりも負な位置であり、前記第2の光触媒粒子の伝導帯下端の電子エネルギー準位よりも正な位置にフェルミ準位を有する、電子および正孔を貯蔵可能な導電性粒子と、を含んでなり、前記光触媒層において、前記導電性粒子は、前記第1の光触媒粒子と前記第2の光触媒粒子とに接続されるように配置されてなり、前記導電性粒子は、アンチモンドープ酸化スズ(ATO)を含んでなり、前記ATOは、大気中光電子分光測定により得られる仕事関数が5.1eVよりも大きく、かつ、前記光触媒層の拡散反射スペクトル測定により得られる波長2400nmにおける自由電子吸光度が3.7%よりも大きく55%より小さいものであることを特徴とする、光触媒材。

IPC (6)：

B01J 35/02 , C01B 3/04 , C01B 13/02 , B01J 23/89 , B01J 23/58 , B01J 23/652

FI (6)：

B01J35/02 J , C01B3/04 A , C01B13/02 B , B01J23/89 M , B01J23/58 M , B01J23/652 M

F-Term (49)：

4G042BA02 , 4G042BA08 , 4G042BB04 , 4G169AA03 , 4G169AA08 , 4G169AA09 , 4G169BA48A , 4G169BB04A , 4G169BB04B , 4G169BB06B , 4G169BC12B , 4G169BC22A , 4G169BC22B , 4G169BC25B , 4G169BC26A , 4G169BC26B , 4G169BC50A , 4G169BC54B , 4G169BC58B , 4G169BC59B , 4G169BC67B , 4G169BC71B , 4G169CB81 , 4G169DA06 , 4G169EA08 , 4G169EB18X , 4G169EC29 , 4G169ED10 , 4G169EE01 , 4G169EE09 , 4G169FA01 , 4G169FA02 , 4G169FB04 , 4G169FB14 , 4G169FB23 , 4G169FB27 , 4G169FB30 , 4G169FB31 , 4G169FB37 , 4G169FC08 , 4G169HA02 , 4G169HB06 , 4G169HC02 , 4G169HC12 , 4G169HC29 , 4G169HC32 , 4G169HD10 , 4G169HE09 , 4G169HE12

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