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J-GLOBAL ID：202103010315901576

半導体装置

Inventor： 平塚 大祐 ,  伊東 弘晃 ,  田多 伸光 ,  上田 和宏 ,  大部 利春
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝 ,  東芝インフラシステムズ株式会社
Agent (1)： 日向寺 雅彦
Gazette classification：特許公報
Application number (International application number)：2017076746
Publication number (International publication number)：2018181513
Patent number：6980403
Application date： Apr. 07, 2017
Publication date： Nov. 15, 2018
Claim (excerpt)：

【請求項1】 半導体素子と、 前記半導体素子に直列接続された回路分離素子と、 前記半導体素子を実装した第1配線と、 前記第1配線に並べて配置された第2配線と、 を備え、 前記回路分離素子は、 絶縁体と、 前記絶縁体上に設けられた第1電極と、 前記絶縁体上において前記第1電極から離間した位置に設けられた第2電極と、 前記絶縁体上に設けられ、前記第1電極および前記第2電極にそれぞれ接続された複数の線状導体と、 を含み、 前記第1電極は、第1接続部材を介して前記第1配線に接続され、 前記第2電極は、第2接続部材を介して前記第2配線に接続され、 前記線状導体は、前記第1配線と前記第2配線との間のスペースに向き合うように配置され、 前記線状導体の材料に固有の最小アーク電流値に前記線状導体の数を乗じた値よりも小さい最大定格電流を有する半導体装置。

IPC (13)：

H01H 85/12 ( 200 6.01) ,  H01L 23/58 ( 200 6.01) ,  H01L 25/07 ( 200 6.01) ,  H01L 25/18 ( 200 6.01) ,  H01H 85/046 ( 200 6.01) ,  H01H 85/08 ( 200 6.01) ,  H01H 85/06 ( 200 6.01) ,  H01H 85/17 ( 200 6.01) ,  H01H 85/175 ( 200 6.01) ,  H01H 85/46 ( 200 6.01) ,  H01H 85/50 ( 200 6.01) ,  H05K 1/02 ( 200 6.01) ,  H02M 7/48 ( 200 7.01)

FI (12)：

H01H 85/12 ,  H01L 23/56 C ,  H01L 25/04 C ,  H01H 85/046 ,  H01H 85/08 ,  H01H 85/06 ,  H01H 85/17 ,  H01H 85/175 ,  H01H 85/46 ,  H01H 85/50 ,  H05K 1/02 N ,  H02M 7/48 Z

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (2)

• プリント回路板及びヒューズ付プリント回路板の形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-066672   Applicant：株式会社沖情報システムズ, 沖電気工業株式会社
• チップ型ヒューズ素子及びその製造方法、並びにチップ型ヒューズ素子の製造方法に用いる可溶体ペースト
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2005-244890   Applicant：TDK株式会社

Cited by examiner (2)

• プリント回路板及びヒューズ付プリント回路板の形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-066672   Applicant：株式会社沖情報システムズ, 沖電気工業株式会社
• チップ型ヒューズ素子及びその製造方法、並びにチップ型ヒューズ素子の製造方法に用いる可溶体ペースト
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2005-244890   Applicant：TDK株式会社