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J-GLOBAL ID：202103011660244207

被覆SiCナノ粒子を用いたSiCセラミックス及びその製造方法

Inventor： 下田 一哉 ,  村上 秀之 ,  檜木 達也
Applicant, Patent owner： 国立研究開発法人物質・材料研究機構 ,  国立大学法人京都大学
Agent (1)： 相川 俊彦
Gazette classification：特許公報
Application number (International application number)：2019540930
Patent number：6908248
Application date： Aug. 31, 2018
Claim (excerpt)：

【請求項1】 平均結晶粒径が100nmから5μmの結晶粒からなるSiC結晶相である第一相の50wt%から99.9wt%と、及び Alを含む酸化物結晶相であって斜方晶系のAl4O4Cからなる第二相の0.1wt%から50wt%という、第一相及び第二相から構成される、SiCセラミックス。

IPC (3)：

C04B 35/577 ( 200 6.01) ,  C04B 35/645 ( 200 6.01) ,  C04B 35/628 ( 200 6.01)

FI (3)：

C04B 35/577 ,  C04B 35/645 ,  C04B 35/628 130

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (5)

• セラミックス焼結体
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-082794   Applicant：旭硝子株式会社
• 特開昭63-040766
  
• 特開昭58-091067
  
• 特開昭59-190268
  
• 特開昭58-091071
  

Cited by examiner (5)

• セラミックス焼結体
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-082794   Applicant：旭硝子株式会社
• 特開昭63-040766
  
• 特開昭58-091067
  
• 特開昭59-190268
  
• 特開昭58-091071