Pat

J-GLOBAL ID：202103014964062821

熱電変換素子および熱電変換素子の製造方法

Inventor： 桐原 和大 ,  衛 慶碩 ,  沖川 侑揮 ,  石原 正統 ,  向田 雅一 ,  長谷川 雅考
Applicant, Patent owner： 国立研究開発法人産業技術総合研究所
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2020094441
Publication number (International publication number)：2021190554
Application date： May. 29, 2020
Publication date： Dec. 13, 2021
Summary：

【課題】一対の熱電対部材がPN接合された炭素系薄膜である熱電変換素子を提供する。【解決手段】熱電変換素子10は、基材1と、基材1上に設けられた少なくとも一対の熱電対部材5を備えている。一対の熱電対部材5の一方がN型ドープされた炭素系薄膜3で、一対の熱電対部材の他方がP型の炭素系薄膜2である。炭素系薄膜2,3は、層数の平均値が0.8以上1.2以下である単層グラフェン、層数の平均値が1.8以上2.2以下である2層グラフェン、および層数の平均値が0.8以上2.2以下である2層グラフェン中に部分的に単層グラフェンの領域が混在するグラフェンのいずれかであることが好ましい。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

基材と、前記基材上に設けられた少なくとも一対の熱電対部材とを有する熱電変換素子であって、 前記一対の熱電対部材の一方がN型ドープされた炭素系薄膜で、前記一対の熱電対部材の他方がP型の炭素系薄膜である熱電変換素子。

IPC (4)：

H01L 35/22 ,  H01L 35/34 ,  G01K 7/02 ,  C01B 32/194

FI (4)：

H01L35/22 ,  H01L35/34 ,  G01K7/02 A ,  C01B32/194

F-Term (20)：

2F056KA01 ,  2F056KA02 ,  2F056KA04 ,  2F056KA14 ,  2F056KA16 ,  2F056KA18 ,  4G146AA01 ,  4G146AA15 ,  4G146AB07 ,  4G146AC01A ,  4G146AC01B ,  4G146AC19B ,  4G146AC30B ,  4G146AD17 ,  4G146AD22 ,  4G146CB12 ,  4G146CB17 ,  4G146CB23 ,  4G146CB35 ,  4G146CB36

Article cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• “Giant power factors in p- and n-type large-area graphene films on a flexible plastic substrate”