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J-GLOBAL ID：202103016205541890

再生方法及び基板処理装置

Inventor： 竹井 弘之 ,  相原 凜花 ,  原口 はづき
Applicant, Patent owner： 学校法人 東洋大学
Agent (2)： 三好 秀和 ,  高橋 俊一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2019162601
Publication number (International publication number)：2021042962
Application date： Sep. 06, 2019
Publication date： Mar. 18, 2021
Summary：

【課題】表面増強ラマン散乱分光法(SERS)に用いる基板の表面のナノ構造へ損傷を与えることなく汚染物質を除去して表面を清浄化する。【解決手段】表面に汚染物質が存在する基板11を容器1に格納して蓋2をすることにより密閉し、蒸気供給源となる小型容器3から炭素数が7以下のアルカンチオール、tert-ブチルメルカプタン、テトラヒドロチオフェン及びジメチルスルフィドの少なくとも一つを含む物質の蒸気13を供給して基板11の表面に吸着させ、容器1から小型容器3を取り外し、容器1を満たす前記物質の蒸気13を含むガスを大気又は希ガスに入れ替え、基板11を大気又は希ガスの雰囲気に暴露して基板11の表面から前記物質とともに汚染物質を脱離させる。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

表面増強ラマン散乱に用いる表面に貴金属によるナノ構造が形成された基板の再生方法であって、 表面に汚染物質が存在する基板を、炭素数が7以下のアルカンチオール、tert-ブチルメルカプタン、テトラヒドロチオフェン及びジメチルスルフィドの少なくとも一つを含む物質の蒸気に暴露して表面に前記物質を吸着させる工程と、 表面から前記物質とともに汚染物質を脱離させて表面を清浄化する工程と を含む再生方法。

IPC (2)：

G01N 21/65 ,  B08B 3/08

FI (2)：

G01N21/65 ,  B08B3/08 Z

F-Term (12)：

2G043AA06 ,  2G043BA14 ,  2G043CA03 ,  2G043DA06 ,  2G043DA08 ,  2G043EA03 ,  2G043MA06 ,  3B201AA01 ,  3B201AB03 ,  3B201BB12 ,  3B201BB82 ,  3B201BB92