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J-GLOBAL ID：202103016240526993

光吸収デバイスおよびその製造方法ならびに光電極

Inventor： 三澤 弘明 ,  石 旭 ,  上野 貢生 ,  押切 友也 ,  孫 泉 ,  笹木 敬司
Applicant, Patent owner： 国立大学法人北海道大学
Agent (1)： 特許業務法人鷲田国際特許事務所
Gazette classification：再公表公報
Application number (International application number)：JP2018047588
Publication number (International publication number)：WO2019131640
Application date： Dec. 25, 2018
Publication date： Jul. 04, 2019
Summary：

光吸収デバイスは、光反射層と、前記光反射層上に配置された誘電体層と、前記誘電体層上に配置された複数の金属ナノ構造体と、を有する。前記複数の金属ナノ構造体は、それぞれ、その一部が前記誘電体層内に埋め込まれており、他の一部が外部に露出している。

Claim (excerpt)：

光反射層と、 前記光反射層上に配置された誘電体層と、 前記誘電体層上に配置された複数の金属ナノ構造体と、 を有し、 前記複数の金属ナノ構造体は、それぞれ、その一部が前記誘電体層内に埋め込まれており、残部が外部に露出している、 光吸収デバイス。

IPC (3)：

G02B 5/20 ,  B82Y 20/00 ,  B82Y 40/00

FI (3)：

G02B5/20 ,  B82Y20/00 ,  B82Y40/00

F-Term (4)：

2H148AA07 ,  2H148AA11 ,  2H148AA18 ,  2H148AA21