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J-GLOBAL ID：202103018084545110

スピン軌道相互作用の増大方法

Inventor： 国橋 要司 ,  眞田 治樹 ,  後藤 秀樹 ,  寒川 哲臣 ,  好田 誠 ,  新田 淳作 ,  蒲生 寛武 ,  榎 涼斗
Applicant, Patent owner： 日本電信電話株式会社 ,  国立大学法人東北大学
Agent (3)： 山川 茂樹 ,  小池 勇三 ,  山川 政樹
Gazette classification：特許公報
Application number (International application number)：2017076621
Publication number (International publication number)：2018181975
Patent number：6792841
Application date： Apr. 07, 2017
Publication date： Nov. 15, 2018
Claim (excerpt)：

【請求項1】 Cuからなる金属材料層に窒素を添加して前記金属材料層のスピン軌道相互作用を増大させることを特徴とするスピン軌道相互作用の増大方法。

IPC (4)：

H01L 29/82 ( 200 6.01) ,  H01L 43/08 ( 200 6.01) ,  H01L 21/8239 ( 200 6.01) ,  H01L 27/105 ( 200 6.01)

FI (3)：

H01L 29/82 Z ,  H01L 43/08 Z ,  H01L 27/105 447

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (2)

• 磁気メモリ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2015-182079   Applicant：株式会社東芝
• 磁気抵抗効果素子およびそれを用いた磁気ランダムアクセスメモリ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2007-249596   Applicant：株式会社東芝

Cited by examiner (1)

• 磁気メモリ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2015-182079   Applicant：株式会社東芝