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J-GLOBAL ID：202103018484456191
コアシェル型シリカの製造方法
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (4)：
三好 秀和
, 高橋 俊一
, 伊藤 正和
, 高松 俊雄
Gazette classification：特許公報
Application number (International application number)：2018034997
Publication number (International publication number)：2018150226
Patent number：6964017
Application date： Feb. 28, 2018
Publication date： Sep. 27, 2018
Claim (excerpt)：
【請求項1】 シリカ粒子の表面にアミン化合物を反応させた後に、スクシンイミド骨格を有する高分子化合物を反応させ、ポリアミン化合物を反応させ、カチオン性高分子化合物で修飾された修飾シリカを得て、
該修飾シリカにシリカ原料を付着させ、焼成によりカチオン性高分子化合物を除去し、シリカシェル層を得る、コアシェル型シリカの製造方法。
IPC (4)：
C01B 33/18 ( 200 6.01)
, C08G 73/10 ( 200 6.01)
, C08G 69/10 ( 200 6.01)
, C08G 69/48 ( 200 6.01)
C01B 33/18 C
, C08G 73/10
, C08G 69/10
, C08G 69/48
