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J-GLOBAL ID：202103020527221406

ウエハ基板の洗浄方法

Inventor： 高橋 正好 ,  宮崎 紳介
Applicant, Patent owner： 国立大学法人東北大学 ,  株式会社ダン・タクマ
Agent (1)： 辻田 幸史
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2020009558
Publication number (International publication number)：2021118235
Application date： Jan. 23, 2020
Publication date： Aug. 10, 2021
Summary：

【課題】 枚葉スピン式の洗浄方式を採用した場合でも、短時間で効果的にウエハ基板上に存在するフォトレジストを除去することができる、ウエハ基板の洗浄方法を提供すること。【解決手段】 電気伝導度が1μS/cm以下である純水に、下記の数式を満たす量の硫酸またはカルボン酸を添加した水中で発生させた、粒径が50μm以下で、レーザー光遮断方式の液中パーティクルカウンターによる計測において5〜15μmに粒径のピークを有しており、そのピークの領域における個数が1000個/mL以上である、オゾンを含有する微小気泡を含む水を、ウエハ基板の表面に接触させて行う。(1)硫酸の添加量:発生させる微小気泡の総個数をx個/mLとした場合に硫酸の濃度(vol%)が1500/x〜15000/xの範囲になる量(2)カルボン酸の添加量:発生させる微小気泡の総個数をx個/mLとした場合にカルボン酸が有するカルボキシル基の濃度(mol/L)が250/x〜2500/xの範囲になる量【選択図】 なし

Claim (excerpt)：

電気伝導度が1μS/cm以下である純水に、下記の数式を満たす量の硫酸またはカルボン酸を添加した水中で発生させた、粒径が50μm以下で、レーザー光遮断方式の液中パーティクルカウンターによる計測において5〜15μmに粒径のピークを有しており、そのピークの領域における個数が1000個/mL以上である、オゾンを含有する微小気泡を含む水を、ウエハ基板の表面に接触させて行うウエハ基板の洗浄方法。 (1)硫酸の添加量:発生させる微小気泡の総個数をx個/mLとした場合に硫酸の濃度(vol%)が1500/x〜15000/xの範囲になる量 (2)カルボン酸の添加量:発生させる微小気泡の総個数をx個/mLとした場合にカルボン酸が有するカルボキシル基の濃度(mol/L)が250/x〜2500/xの範囲になる量

IPC (2)：

H01L 21/304 ,  H01L 21/027

FI (4)：

H01L21/304 648G ,  H01L21/30 572B ,  H01L21/304 643A ,  H01L21/304 647Z

F-Term (23)：

5F146MA02 ,  5F157AA64 ,  5F157AB02 ,  5F157AB33 ,  5F157AB90 ,  5F157AC01 ,  5F157BB11 ,  5F157BB66 ,  5F157BB79 ,  5F157BC03 ,  5F157BC12 ,  5F157BC13 ,  5F157BC54 ,  5F157BD33 ,  5F157BE12 ,  5F157BE43 ,  5F157BF12 ,  5F157CD36 ,  5F157CE37 ,  5F157CF42 ,  5F157DB02 ,  5F157DB03 ,  5F157DB45

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (3)

• 気泡発生装置および気泡発生方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2003-077113   Applicant：三菱電機株式会社
• 基板処理方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-167470   Applicant：住友精密工業株式会社
• 半導体ウエハの洗浄方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2010-235055   Applicant：独立行政法人産業技術総合研究所, 茨城県