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J-GLOBAL ID:202104000017193273  Research Project code:7700009376

三端子型水素ガスセンサデバイスの研究

三端子型水素ガスセンサデバイスの研究
Study period:2005 - 2005
Organization (1):
Principal investigator: ( , 理工学部 )
Research overview:
本研究の目的は、簡単なプロセスで製作可能で、比較的大きな出力変化が得られ、室温で動作可能な水素ガスセンサデバイスを試作し、その特性を詳細に調べ、その実用化に近づけることである。p+基板の上にn形エピ層をもつ Si基板を用い、その後は、リフトオフ・プロセスのみを使った電極の形成によって、ソース、ドレインのオーミック電極と、触媒金属からなるショットキーゲート電極を設けた構造のデバイスを試作する。このデバイスのソース・ドレイン間の電流-電圧特性は、雰囲気の水素濃度によって変化する。混合調整制御した雰囲気ガス中における、試作したデバイスの特性評価を通じて、センサとしての性能を明らかにする。
Terms in the title (3):
Terms in the title
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Research program:
Organization with control over the research:
Japan Science and Technology Agency

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