三端子型水素ガスセンサデバイスの研究

Study period：2005 - 2005
Organization (1)：
Principal investigator： ( , 理工学部 )
Research overview：

本研究の目的は、簡単なプロセスで製作可能で、比較的大きな出力変化が得られ、室温で動作可能な水素ガスセンサデバイスを試作し、その特性を詳細に調べ、その実用化に近づけることである。p+基板の上にn形エピ層をもつ Si基板を用い、その後は、リフトオフ・プロセスのみを使った電極の形成によって、ソース、ドレインのオーミック電極と、触媒金属からなるショットキーゲート電極を設けた構造のデバイスを試作する。このデバイスのソース・ドレイン間の電流-電圧特性は、雰囲気の水素濃度によって変化する。混合調整制御した雰囲気ガス中における、試作したデバイスの特性評価を通じて、センサとしての性能を明らかにする。

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Research program：＞＞＞＞
Organization with control over the research：

Japan Science and Technology Agency

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