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J-GLOBAL ID:202104000094361111  Research Project code:15654925

高移動度二次元酸化物構造による非散逸電流デバイスの創成

高移動度二次元酸化物構造による非散逸電流デバイスの創成
National award number:JPMJPR1527
Study period:2015 - 2018
Organization (1):
Principal investigator: ( , 創発物性科学研究センター, 上級研究員 )
DOI: https://doi.org/10.52926/JPMJPR1527
Research overview:
強磁性二次元電子の自発磁化による量子化異常ホール効果は、エネルギー消費のない非散逸流デバイス応用が期待できます。本研究は、デルタドープ構造SrTiO3で初めて実現した量子ホール効果に磁性層を組みあわせ、電子相関の強いd電子の二次元電子による量子化異常ホール効果の実現を目指します。ホールデバイス構造の磁区と量子化抵抗の検証や強磁性層特性制御研究で、超低電力消費エレクトロニクス応用の道筋をつけます。
Terms in the title (4):
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Research program:
Parent Research Project: 素材・デバイス・システム融合による革新的ナノエレクトロニクスの創成
Organization with control over the research:
Japan Science and Technology Agency
Reports :

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