Proj
J-GLOBAL ID:202104000199086396  Research Project code:7700107129

45nm世代IC多層配線におけるバリア層自己形成プロセスの開発

45nm世代IC多層配線におけるバリア層自己形成プロセスの開発
Study period:2004 - 2006
Organization (1):
Research responsibility: ( )
Research overview:
先端LSIの新規要素技術としてCu-Mn合金を用いたバリア層自己形成プロセス技術を開発した。配線抵抗は純Cuと同等であり、絶縁層との界面に厚さが2nmのバリア層を安定して形成できる。この技術を32nm世代のLSI多層配線に適用し、優れた信頼性と性能を有することを確認した。
Research program:
Organization with control over the research:
Japan Science and Technology Agency

Return to Previous Page