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J-GLOBAL ID：202104000241170181
Research Project code：14531387
ひずみ誘起ゲージ場を用いた単原子層膜の伝導制御とエレクトロニクス応用
ひずみ誘起ゲージ場を用いた単原子層膜の伝導制御とエレクトロニクス応用
National award number：JPMJPR1424
Study period：2014 - 2017
Organization (1)：
Principal investigator：
(
, 数理物質系, 研究員 )
DOI：
https://doi.org/10.52926/JPMJPR1424
Research overview：
炭素の単原子膜であるグラフェンには、格子ひずみによって擬似的なベクトルポテンシャルやスカラーポテンシャルが生じるという特殊な性質があります。本研究では、この性質を利用し、格子ひずみの空間分布を制御することによって、高移動度を維持しつつ、グラフェントランジスタの実用化に十分な大きさの伝導ギャップを創出するための基盤技術を開拓します。これにより、単原子膜を用いたナノエレクトロニクスの実現に貢献します。
Terms in the title (7)：
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Research program：
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Parent Research Project：
素材・デバイス・システム融合による革新的ナノエレクトロニクスの創成
Organization with control over the research：
Japan Science and Technology Agency
