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J-GLOBAL ID:202104000321308435  Research Project code:7700107141

低温触媒CVD装置の開発

低温触媒CVD装置の開発
Study period:2001 - 2004
Organization (1):
Research responsibility: ( 機械金属部, 部長 )
Research overview:
各種デバイスの保護膜として、低温形成の窒化シリコン膜が使われているが何れも製造時の温度が400°C以上と高い。本研究は、基盤温度の制御性を改善して、デバイスの電気特性を劣化させない120°C以下の温度で良質の窒化シリコン膜が形成できるCVD装置開発を目指すものである。この装置を用いることにより、強誘電体メモリの特性を損なうことなく、低容量からの応用可能なメモリ混載LSI製造への適用が期待できる。
Terms in the title (3):
Terms in the title
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Research program:
Organization with control over the research:
Japan Science and Technology Agency

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