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J-GLOBAL ID：202104000532754326
Research Project code：12101071
新しい半導体固相界面による新規グリーンデバイスの開発
新しい半導体固相界面による新規グリーンデバイスの開発
National award number：JPMJPR12C8
Study period：2012 - 2015
Organization (1)：
Principal investigator：
(
, さきがけ研究者 )
DOI：
https://doi.org/10.52926/JPMJPR12C8
Research overview：
シリコンとIII-V族化合物半導体からなる半導体固相界面に生じる新しい物性を利用することで、エネルギーを効率良く“創る・貯める・使う”素子(グリーンデバイス)を開発します。具体的には、エネルギーを創り貯める素子として、高効率ワイヤレス型水素生成セルを作製し、また、省エネルギー素子として、低電力トランジスターを開発することで、とりわけ電子・輸送産業のエネルギー高効率利用に貢献する基盤技術の確立を目指します。
Terms in the title (4)：
Terms in the title
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Research program：
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Parent Research Project：
エネルギー高効率利用と相界面
Organization with control over the research：
Japan Science and Technology Agency
