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J-GLOBAL ID:202104000598644017  Research Project code:7700011288

省エネデバイス用8インチ超大口径GaNウエハ

省エネデバイス用8インチ超大口径GaNウエハ
National award number:JPMJAL1201
Study period:2012 - 2019
Organization (1):
Principal investigator: ( , 大学院工学研究科, 教授 )
DOI: https://doi.org/10.52926/JPMJAL1201
Research overview:
パワーデバイスおよびLED用基板として期待されているGaN基板の結晶欠陥低減と大口径化を推進しています。Naフラックス法およびシードポイント法を用いて、100個/cm2の転位欠陥密度と6インチ径のGaN基板の作製に成功。Si基板と同等の品質を有する8インチ超GaN基板の低コスト作製技術の開発を目指します。
Terms in the title (4):
Terms in the title
Keywords automatically extracted from the title.
Research program:
Parent Research Project: 革新的省・創エネルギーシステム・デバイス
Organization with control over the research:
Japan Science and Technology Agency
Reports :

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