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J-GLOBAL ID:202104000855447120  Research Project code:08062760

極性ワイドギャップ半導体フォトニックナノ構造の新規光機能

極性ワイドギャップ半導体フォトニックナノ構造の新規光機能
National award number:JPMJPR0861
Study period:2008 - 2011
Organization (1):
Principal investigator: ( , 大学院新領域創成科学研究科, 助教 )
DOI: https://doi.org/10.52926/JPMJPR0861
Research overview:
GaNやZnO、CuClといった極性ワイドギャップ半導体は、非線形光学定数が大きく、励起子が安定に存在し、かつ磁性元素添加により室温強磁性を示すことが知られていますが、これら高次光物性を利用した素子応用研究は少ない状況です。本研究では、これらを用いたフォトニックナノ構造を作製することで物質と光の相互作用を増強し、波長変換素子やポラリトンレーザ、光アイソレータなど光機能素子を創出することを目指します。
Terms in the title (3):
Terms in the title
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Research program:
Parent Research Project: 革新的次世代デバイスを目指す材料とプロセス
Organization with control over the research:
Japan Science and Technology Agency
Reports :

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