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J-GLOBAL ID:202104001227725711  Research Project code:09156646

3次元Si貫通配線のための新規成膜手法の開発

3次元Si貫通配線のための新規成膜手法の開発
Study period:2009 - 2009
Organization (1):
Principal investigator: ( , 工学部, 准教授 )
Research overview:
Si-ULSIのさらなる高集積化に、チップを3次元的に積層する実装技術が注目されている。中でも、積層チップ間を最短距離でつなぐSi貫通ビア配線の実現が鍵となるが、200°C以下で貫通電極を作製するプロセス開発が必須となる。現状ではこの要求を満足できるプロセスも材料も存在しないが、研究者は200°C程度以下のプロセスで貫通電極を実現できる新たな成膜技術と新規バリヤ材料を開発し、実用化に向けた装置化の基礎的部分を検討する。
Terms in the title (5):
Terms in the title
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Research program:
Organization with control over the research:
Japan Science and Technology Agency

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