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J-GLOBAL ID:202104001791628220  Research Project code:09157879

超高純度GaAsエピタキシャル厚膜を用いた空間光変調器の開発

超高純度GaAsエピタキシャル厚膜を用いた空間光変調器の開発
Study period:2009 - 2009
Organization (1):
Principal investigator: ( , 工学部電子情報工学科, 教授 )
Research overview:
光通信・光情報処理分野の急速な技術の進展に伴い空間光変調器の高速・低駆動電圧化が求められている。超高純度の砒化ガリウム厚膜をエピタキシャル成長により作製し、これを用いて従来例に比べ数桁以上の速度・数十分の一の電圧で動作する空間光変調器を開発する。本研究により「画素微細化」「光応答速度の超高速化」「消費電力の低減化」等実現のための光変調デバイスを開発し、超高速駆動技術開発に対応しようとするものである。
Research program:
Organization with control over the research:
Japan Science and Technology Agency

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