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J-GLOBAL ID：202104002003216206
Research Project code：13415259
相界面制御法による極低反射率の達成と結晶シリコン太陽電池の超高効率化
相界面制御法による極低反射率の達成と結晶シリコン太陽電池の超高効率化
National award number：JPMJCR13C2
Study period：2013 - 2018
Organization (1)：
Principal investigator：
(
, 産業科学研究所, 教授 )
DOI：
https://doi.org/10.52926/JPMJCR13C2
Research overview：
シリコンウェーハを過酸化水素とフッ化水素酸の溶液に浸し、白金触媒体に接触させるだけで、瞬間的に表面にシリコンナノクリスタル層が形成されます。その結果、反射率がほぼ零となります。これを結晶シリコン太陽電池に利用すると、大きな光電流が得られます。シリコンナノクリスタル層は原子レベルの欠陥をほとんど含んでおらず、表面を不活性にする処理を用いると、高い光起電力も得られます。したがって、低コストの下で結晶シリコン太陽電池を高効率化することができます。
Terms in the title (5)：
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Research program：
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Parent Research Project：
エネルギー高効率利用のための相界面科学
Organization with control over the research：
Japan Science and Technology Agency
