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J-GLOBAL ID:202104002019221676  Research Project code:16815651

原子層ヘテロ構造の完全制御成長と超低消費電力・3次元集積デバイスの創出

原子層ヘテロ構造の完全制御成長と超低消費電力・3次元集積デバイスの創出
National award number:JPMJCR16F3
Study period:2016 - 2021
Organization (1):
Principal investigator: ( , 大学院理工学研究科, 准教授 )
DOI: https://doi.org/10.52926/JPMJCR16F3
Research overview:
本研究では、異なる原子層物質が「面内で接合した原子層ヘテロ構造」に着目し、接合部に生じる「一次元界面」を利用した超低消費電力・三次元集積デバイスの実現に向けた学理と技術を構築します。特に、遷移金属ダイカルコゲナイド原子層を中心に、成長位置・結晶方位が完全制御されたヘテロ構造の集積プロセスの確立、界面電子状態の解明と制御、そしてトンネル電界効果トランジスタ等の光・電子デバイスの実証を目指します。
Research program:
Parent Research Project: 二次元機能性原子・分子薄膜の創製と利用に資する基盤技術の創出
Organization with control over the research:
Japan Science and Technology Agency
Reports :

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