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J-GLOBAL ID:202104002137466748
Research Project code:20344509
SiCスイッチングモジュールの高性能化とその応用開発
SiCスイッチングモジュールの高性能化とその応用開発
National award number:JPMJTR201A
Study period:2020 - 2024
Organization (2):
,
Corporate responsibility:
Research responsibility:
(
, オープンイノベーション機構, 特定教授 )
DOI:
https://doi.org/10.52926/JPMJTR201A
Research overview:
ICTを用いたセンシング・制御技術をパワーエレクトロニクスに適用することでSiCパワーデバイスの高温動作、低損失、高耐圧、高速スイッチング特性を最大限に活用したアプリケーショを実現し、その社会実装および本格的な基幹産業への展開の礎を築く。本課題では、単体デバイスでは難しい高耐圧・大容量化を実現するモジュール化技術を開発する。これをもとにSiCパワーデバイスの大きな適用効果が見込める1交流電気車の電源及び2モータ駆動システムと、3放射光源加速器用大電流高速パルス電源を例にとり、高信頼な電力変換の基盤技術開発をする。開発は次ステップに繋ぎ、インフラや産業分野への本格的な社会実装を狙う。
Terms in the title (6):
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Research program:
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Organization with control over the research:
Japan Science and Technology Agency
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