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J-GLOBAL ID：202104002204308818
Research Project code：15656058
超低消費電力動作に向けたゲート絶縁膜の負性容量による急峻スロープトランジスタ技術の開発とナノワイヤ構造への応用
超低消費電力動作に向けたゲート絶縁膜の負性容量による急峻スロープトランジスタ技術の開発とナノワイヤ構造への応用
National award number：JPMJPR1525
Study period：2015 - 2018
Organization (1)：
Principal investigator：
(
, 生産技術研究所, 准教授 )
DOI：
https://doi.org/10.52926/JPMJPR1525
Research overview：
本研究では超低電圧動作トランジスタとして強誘電性HfO2薄膜用いた負性容量トランジスタ(NCFET)のデバイス設計・材料開発と、世界初の動作実証を目的とします。デバイス設計では物理ベースのシミュレータを構築します。材料開発では、強誘電性HfO2薄膜のプロセス技術を開発します。デバイス試作では強誘電性HfO2薄膜をCMOSプロセス技術へ導入し、さらにナノワイヤチャネルへの展開を図ります。
Terms in the title (8)：
Terms in the title
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Research program：
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Parent Research Project：
素材・デバイス・システム融合による革新的ナノエレクトロニクスの創成
Organization with control over the research：
Japan Science and Technology Agency
