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J-GLOBAL ID:202104002307365658  Research Project code:09152504

瞬間結晶化によるガラス基板上への超高性能多結晶Si薄膜形成

瞬間結晶化によるガラス基板上への超高性能多結晶Si薄膜形成
National award number:JPMJPR09P3
Study period:2009 - 2012
Organization (1):
Principal investigator: ( , マテリアルサイエンス研究科, 助教 )
DOI: https://doi.org/10.52926/JPMJPR09P3
Research overview:
フラッシュランプアニール(FLA)を用いた瞬間結晶化により、安価なガラス基板上に形成される、膜厚1μm以上の高品質多結晶シリコン(poly-Si)薄膜の結晶化は、周期凹凸構造を形成しながら平面方向に進行します。本研究では、この結晶化機構を明確化するとともに、周期構造と太陽電池特性との関連性を明らかにすることで、太陽電池用材料としての高品質化への指針を得て、効率15%以上の低コスト薄膜poly-Si太陽電池を実現するための基盤技術を確立します。
Terms in the title (5):
Terms in the title
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Research program:
Parent Research Project: 太陽光と光電変換機能
Organization with control over the research:
Japan Science and Technology Agency
Reports :

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