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J-GLOBAL ID：202104003402850314
Research Project code：11103676
SiC MOSFETの抵抗損失低減のための界面制御技術
SiC MOSFETの抵抗損失低減のための界面制御技術
National award number：JPMJPR11C3
Study period：2011 - 2014
Organization (1)：
Principal investigator：
(
, 大学院工学系研究科, 准教授 )
DOI：
https://doi.org/10.52926/JPMJPR11C3
Research overview：
パワーデバイス用のSiC-MOSFETはオン抵抗の低減が求められています。本研究ではヘテロ固相界面の精緻な制御に基づいた新しいプロセスを適用し、デバイス特性の向上を実証します。SiCと絶縁膜の界面では、SiC酸化に伴う欠陥形成を抑制しながら良質な絶縁膜を形成することでキャリア移動度の向上を図り、またSiCと金属の界面に対しては、界面障壁を制御することでコンタクト抵抗を低減する技術を構築します。
Terms in the title (4)：
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Research program：
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Parent Research Project：
エネルギー高効率利用と相界面
Organization with control over the research：
Japan Science and Technology Agency
