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J-GLOBAL ID：202104003444751316
Research Project code：10102676
電界による磁化スイッチングの実現とナノスケールの磁気メモリの書込み手法への応用
電界による磁化スイッチングの実現とナノスケールの磁気メモリの書込み手法への応用
National award number：JPMJPR10H5
Study period：2010 - 2013
Organization (1)：
Principal investigator：
(
, 化学研究所, 助教 )
DOI：
https://doi.org/10.52926/JPMJPR10H5
Research overview：
ハードディスクや研究開発が進む磁気メモリでは、微小磁石の磁化方向をスイッチさせて情報を記録しています。記録密度の向上に伴い、より省エネルギーな書込手法が求められています。本研究では、ナノ磁石に電界を印加することで磁化方向をダイレクトに制御し、外部からの磁界や電流の印加を必要としない、新たな磁化スイッチング手法を目指します。半導体と磁性体の技術を融合し、これまでにないアイデアを提案・実証していきます。
Terms in the title (7)：
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Research program：
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Parent Research Project：
ナノシステムと機能創発
Organization with control over the research：
Japan Science and Technology Agency
