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J-GLOBAL ID：202104003597816565
Research Project code：09152496
スピン量子十字素子を用いた新規な高性能不揮発性メモリの創製
スピン量子十字素子を用いた新規な高性能不揮発性メモリの創製
National award number：JPMJPR0961
Study period：2009 - 2012
Organization (1)：
Principal investigator：
(
, 電子科学研究所, 助教 )
DOI：
https://doi.org/10.52926/JPMJPR0961
Research overview：
高度情報化社会の発展に伴い、メモリデバイスの更なる高集積化・低消費電力化が要求されています。この要求を満たすためには、従来にない革新的なデバイスの創製が必要となります。本研究では、強磁性薄膜のエッジとエッジの間に有機分子を挟んだ強磁性体/有機分子/強磁性体スピン量子十字素子を提案し、これにより全く新しい動作原理で駆動する高抵抗変化率、低電流密度を兼ね備えた新規不揮発性メモリデバイスの創製を目指します。
Terms in the title (5)：
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Research program：
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Parent Research Project：
革新的次世代デバイスを目指す材料とプロセス
Organization with control over the research：
Japan Science and Technology Agency
