産業用途向け超高輝度半導体レーザの開発に関する研究

Study period：2004 -
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近年、880nmから1100nmで発振する赤外域の半導体レーザ(LD)が固体レーザやファイバレーザの励起光源として産業分野への応用が拡大してきている。産業分野における半導体レーザへの要望は輝度の向上である。輝度の向上により、半導体レーザを用いたシステムの小型化・高効率化・省エネルギー化・低コスト化の進展と共に、新しい応用分野が創出される可能性が高い。半導体レーザの輝度向上の本質は、半導体レーザチップの出力限界の向上と高輝度を維持できる時間(信頼性)の向上である。本研究は、この2つの要求を同時に満足させることができる選択的IFVD技術を開発し、世界最高輝度の半導体レーザを創出することを目的とする。本研究は、ファイバレーザ用励起光源への応用を第1のターゲットとし、低コスト化を可能とするクーラーレスの半導体レーザモジュール(LDM)への搭載を念頭に検討を進める。選択的IFVD技術については、端面強化性能の実証に加えて、プロセス再現性の確保を目標とする。ストライプ幅100μmからの出力10WでのMTTF(平均故障時間)1万時間以上の素子の作製を本研究の最終目標とする。

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Organization with control over the research：

Japan Science and Technology Agency

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